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PECVD等離子體增強氣相沉積是一款1200℃等離子增強混合物理化學氣相沉積（HPCVD)雙溫區回轉爐系統源（帶自動匹配功能）、上游原位蒸發舟、4通道質子流量計控制系統及性能優異的真空泵組成。此于無機復合粉末的熱處理及粉末表面的均勻包覆（如：制備鋰離子電池陰極粉末的導電涂層等）。

CVD（ChemicalVaporDeposition，化學氣相沉積）是一種用于薄膜沉積的技術。它通過將氣態化學前驅體反應成固態沉積物，在基材表面形成薄膜。CVD廣泛應用于半導體制造、光伏設備、涂層和材料科學等領域。

雙通道ALD管式爐系統ALD-1200X-4是一款4英寸管式爐系統，包含用于原子層沉積的2個ALD進氣閥、1個精密液體氣相發CVD生長納米材料和薄膜材料的4通道質子流量計控制系統。該管式爐系統簡潔的設計使得更多的科擔的低成本情況下實現ALD工藝實驗。

GSL-1100X-III-D11是一款大面積雙管石墨烯生長爐，其最高溫度可以達到1100℃。特殊的雙管設計，法在箔材上大面積生長材料（面積：~7000 cm^2，箔材纏繞在內管的外壁上）。一個送管裝置可以外管內部或從外管中取出。此款設備特別適合大面積生長石墨烯和柔性電極材料。

1200℃等離子增強HPCVD回轉爐系統，OTF-1200X-II-PEC4是一款1200℃等離子增強混合物理化學氣相沉積（HPCVD)雙溫區回轉爐系統源（帶自動匹配功能）、上游原位蒸發舟、4通道質子流量計控制系統及性能優異的真空泵組成。此于無機復合粉末的熱處理及粉末表面的均勻包覆（如：制備鋰離子電池陰極粉末的導電涂層等）。

GSL-1700X-HVC是一款CE認證的二通道高真空CVD系統，它是由二路質子混氣系統和高真空機組組度可達1600℃，極限真空度可達 to 10^-5 torr。混氣系統可以對兩種氣體進行精確的混氣，然后導